Tensão de entrada (V)
0.9-1.5v
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Diodo emissor de luz
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
Alta potência radiante
Ângulo de visão (°)
120/140
Índice de rendição de cor (Ra)
70
Temperatura de funcionamento (℃)
-20-65
Temperatura de armazenamento (℃)
-20-65
Tensão para frente
1.1-1.8v
Corrente para frente
350-700ma
Comprimento de onda
1000nm-1050nm
Tipo de produto
3w de alta potência ir led
Comprimento de onda opcional
970nm 1000nm 1020nm 1050nm 1080 nm 1200nm 1550nm
Faixa de potência
1-500w disponível
Outro comprimento de onda
700nm 750nm 760nm 780nm 780nm 810nm 880nm 1100 nm 1150nm 1310nm 1700nm
Chips de led
Chip de taiwan
Outros módulos
Smd 3535 5050 6070 8090 5074 6868