Lugar de origem
Guangdong, China
Tensão de entrada (V)
1.4-2.2v
Tipo
Diodo emissor de luz do poder superior
Serviço de soluções de iluminação
Iluminação e design de circuitos, Instalação do projeto
Tempo de vida (horas)
30000
Material da microplaqueta
InGaN
Intensidade luminosa
300-1000mw
Fluxo luminoso (lm)
300-1000mw
Índice de rendição de cor (Ra)
0
Temperatura de cor
730nm 760nm 850nm 880nm 930nm 980nm
Temperatura de funcionamento (℃)
-20-70
Temperatura de armazenamento (℃)
-20 - 100
Nome do produto
Diodo LED Far Ir Infrair vermelho 3535 led ir
Corrente para frente
1000ma
Tensão para frente
1.4-1.8v
Marca de chip
Chip epistar 42mil ou chip epileds
Comprimento de onda
660nm 730nm 850nm 880nm 940nm 980nm
Cor clara
Infravermelho distante vermelho
Aplicação
Monitoramento de segurança, projetor infravermelho, reconhecimento de íris
