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8 polegadas 6 polegadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Epiwafer Epiwafer GaN-em-Si Si para Micro-LED

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Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem
Shanghai, China
Marca
XINKEHUI
Número do Modelo
Barrier AlGaN or AlN or InAlN
Tipo
Wafer Epitaxial
Espessura
Semi padrão
MOQ
2pcs
Aplicação
Pó dispositivo
Grau
Prime
Nome do produto
Camada em Si substratos
Certificação
ROHS
Superfície
SSP
Diamater
6 POLEGADAS OU 8 POLEGADAS
Substrato
Si ou sic
Prazo de envio
FOB

Embalagem e entrega

Embalagem
single wafer case by vacuum package
Porto
Shanghai port

Capacidade de fornecimento

Capacidade de fornecimento
100 Peça/Peças per Month

Tempo até a entrega

Personalização

Descrições do produto pelo fornecedor

10 - 99 Peças
€ 784,09
>= 100 Peças
€ 490,06

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