Wafers e substratos de carboneto de silicone (SiC) tipo N 4H-SiC ou semi-isolamento de 6 polegadas 8 polegadas

Name: Wafers e substratos de carboneto de silicone (SiC) tipo N 4H-SiC ou semi-isolamento de 6 polegadas 8 polegadas
Brand: Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.
SKU: 1601083401508
Price: 200 USD
Availability: InStock

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. 3 yrs

Wafers e substratos de carboneto de silicone (SiC) tipo N 4H-SiC ou semi-isolamento de 6 polegadas 8 polegadas

Principais atributos

Outros atributos

Lugar de origem

Shanghai, China

Marca

XINKEHUI

Número do Modelo

SiC Wafers

Tipo

Bolachas sic

Grau

Z p r d

Diâmetro

150.0mm +/- 0.2mm

Espessura

500 um/- 25 um para 4h-si 350 um/- 25 um para 4h-n

Orientação wafer

0001 +/- 0.5 graus para 4h-si

Mpd

1 cm-2

Resistividade elétrica

0.015 ~ 0.025

Concentração de doping

N-tipo: ~ 1e18/cm3

Plano primário (tipo n)

10-10 +/- 5.0 reg

Comprimento plano primário (tipo n)

47.5mm +/- 2.0mm

Entalhe (tipo semi-isolante)

Entalhe

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:

Item único

Tamanho da embalagem única:

8X8X5 cm

Peso bruto único:

0.010 kg

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